«Группа Кремний ЭЛ» и Брянский государственный технический университет потратят 214 млн рублей на реализацию совместного проекта

Брянская «Группа Кремний ЭЛ» и Брянский государственный технический университет (входят в Союз машиностроителей России) получат от Минобрнауки РФ субсидию в размере 107 млн рублей на создание производства изделий микроэлектроники в малогабаритных металлополимерных корпусах.

Предприятие и вуз стали победителями соответствующего конкурса на получение господдержки развития кооперации российских вузов и предприятий. Средства планируется потратить в 2019 — 2021 годах на реализацию проекта «Создание высокотехнологичного производства кремниевых и карбидокремниевых изделий микроэлектронной техники в малогабаритных металлополимерных корпусных исполнениях типа SOT, SO и QFN» стоимостью 214 млн рублей. Остальные 107 млн рублей направит на проект АО «Группа Кремний ЭЛ».

Он включает научно-исследовательские, опытно-конструкторские и технологические работы. В качестве соисполнителя по проекту планируется привлечение Федерального государственного бюджетного учреждения науки «Физико-технический институт имени А.Ф. Иоффе» РАН.

В  марте 2019 года АО «Группа Кремний ЭЛ» запустило серийное производство транзисторов и микросхем с проектными нормами 500 нанометров в малогабаритных полимерных корпусах для поверхностного монтажа. Такие элементы используются в блоках вторичного питания радиоэлектронной техники. В 2017 году Фонд развития промышленности предоставил предприятию заем в 200 млн рублей по программе «Конверсия» на реализацию этого проекта.

«Нам удалось закупить высокотехнологичное оборудование, использование которого позволило предприятию выйти на более высокий технологический уровень, улучшить качество, временные и частотные характеристики изделий, повысить процент выхода годных изделий, уменьшить размеры кристалла, снизить трудоемкость и материалоемкость изготовления», — отмечал на церемонии открытия производства гендиректор «Группа Кремний ЭЛ» Олег Данцев. По его словам, в проект было вложено более миллиарда рублей. Это средства фонда, собственные и заемные средства предприятия.

Данцев отметил, что реализация проекта позволит снизить долю иностранных производителей на рынке транзисторов и интегральных микросхем в микрокорпусах, которые используются в блоках вторичного питания для радиоэлектронной техники, с 95 до 30 процентов.

Наталья Сафонова, руководитель пресс-службы БРО Союза машиностроителей России